▲ 삼성전자 평택 2라인 가동 "이재용 부회장 의지"(사진=삼성전자) ©
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[주간시흥=강선영 기자] 세계 1위 메모리 제조업체인 삼성전자가 세계 최대 규모 반도체 생산 단지인 평택캠퍼스에서 신설 '평택 2라인(P2)' 가동에 돌입했다.
삼성전자는 P2 라인에서 업계 최초로 EUV(극자외선) 공정을 적용한 차세대 D램을 본격 양산하고 내년부터는 낸드플래시, 파운드리(반도체 위탁생산) 등 주요 제품 생산라인도 가동할 예정이다.
신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 확산과 미중 무역분쟁에 따른 업계 불확실성 증대에도 불구하고 위기 극복을 위해선 기술 경쟁력 확대를 통한 '초격차' 전략이 필수적이라는 이재용 부회장의 의지가 반영된 것으로 분석된다.
30일 삼성전자는 평택캠퍼스 2라인에서 EUV 공정을 적용한 3세대 10나노(1z) LPDDR5 모바일 D램 생산에 나선다고 밝혔다. 메모리 업계에서 D램 생산에 EUV 공정을 도입한 것은 삼성전자가 최초다.
평택 2라인에서 양산되는 16Gb(기가비트) LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐다. 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현했다. 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 속도가 16% 빨라졌다는 것이 삼성전자 측의 설명이다. 16GB(기가바이트) 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB(기가바이트)를 처리할 수 있다. 이를 통해 삼성전자는 내년 출시되는 인공지능(AI)기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점한다는 계획이다.
지난 2015년부터 공사를 시작한 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했고, 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하하게 됐다.
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